化學氣相沉積是利用了加熱離子體激勵或光輻射等方法，讓氣態(tài)的或者蒸汽狀態(tài)的化學物質(zhì)發(fā)生反應，并以原子態(tài)沉積在適當?shù)奈恢玫囊r底上。從而形成了所需要的固態(tài)薄膜或是涂層的過程。

反應室的壓力、氣體的流動速率、晶片的溫度等反應中間起的作用都是沉積參數(shù)的變化范圍，所以考慮到沉積薄膜中的變數(shù)、以及沉積速率決定著反應室的產(chǎn)出量，反應生成的膜不僅會沉積在晶片上，也會沉積在反應室的其他部件上，所以對反應室進行徹底清洗的程度也是重要。

化學氣相沉是傳統(tǒng)的制備薄膜的技術，它的原理就是利用氣態(tài)的先驅反應物，通過原子、分子間的化學反應，在晶片上形成薄膜。氣相沉積能夠生產(chǎn)出具備高質(zhì)量高純度以及高強度等優(yōu)點的材料，因此在半導體行業(yè)很受歡迎。